【未分类_MTY14N100E】封装/厂家_MTY14N100E中文资料_价格

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型号： MTY14N100E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTY14N100E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTY14N100E价格参考。ON SemiconductorMTY14N100E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTY14N100E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTY14N100E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTY14N100E 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，额定电压 1000 V，连续漏极电流 14 A（Tc=25°C），采用 TO-247 封装。其高耐压、低导通电阻（Rds(on) 典型值约 0.85 Ω）及快速开关特性，适用于中高功率、高电压的开关电源场景。

典型应用场景包括：  
✅ 工业级开关电源（SMPS）中的主开关管，尤其适用于 1–3 kW 级 AC-DC 转换器；  
✅ PFC（功率因数校正）电路，特别是连续导通模式（CCM）升压 PFC，可高效处理高压整流后输入；  
✅ 高压 DC-DC 变换器（如光伏逆变器辅助电源、充电桩二次电源）；  
✅ 电机驱动中的高压侧开关（如小型工业泵、风机的变频控制模块）；  
✅ 电磁加热、LED 高压恒流驱动等需要高 dv/dt 耐受与可靠雪崩能力的场合（该器件具备额定 UIS 雪崩能量能力）。

注意：实际应用中需配合优化驱动（≥12 V 栅极电压以确保充分增强）、合理散热设计（TO-247 封装需安装于足够面积散热器），并考虑寄生电感引起的电压尖峰抑制（建议加 RC 吸收或 TVS）。不推荐用于高频（>100 kHz）谐振拓扑，因其开关速度属中速型，更侧重高压鲁棒性而非极致频率性能。

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