【未分类_MTP1N50E】封装/厂家_MTP1N50E中文资料_价格

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型号： MTP1N50E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTP1N50E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP1N50E价格参考。ON SemiconductorMTP1N50E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTP1N50E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP1N50E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTP1N50E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，额定参数为：耐压500V、连续漏极电流1A、Rds(on)典型值为13Ω（Vgs=10V）。其低栅极电荷与适中电流能力，使其适用于中低功率、高电压开关场景。

典型应用场景包括：  
1. 离线式AC-DC电源：如小功率适配器、充电器中的反激（Flyback）变换器初级侧开关管，承担高压整流后的高频开关任务；  
2. LED驱动电路：用于非隔离型降压（Buck）或隔离型反激LED驱动器的主开关，支持恒流/恒压控制；  
3. 电机控制：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动模块中，作为单相半桥上/下臂开关（需搭配驱动IC及保护电路）；  
4. 家电控制板：如微波炉、电磁炉、智能插座等设备中，用于继电器替代或可控硅补充，实现固态开关与过零/相位控制；  
5. 工业辅助电源与PFC预稳压：在小功率有源PFC或辅助偏置电源中作开关器件（需注意其1A电流限制，适用于≤5W级应用）。

注意事项：该器件不适用于大电流或高频硬开关（>100kHz）场合，设计时需加强散热（加装散热片）、优化PCB布局以抑制dv/dt噪声，并建议配合TVS和RC缓冲电路提升可靠性。  

综上，MTP1N50E定位清晰——是经济可靠的中高压、小电流开关器件，广泛应用于对成本敏感、功率密度要求适中、强调长期稳定性的消费电子与工业控制子系统中。

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