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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD5N25E1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD5N25E1价格参考。ON SemiconductorMTD5N25E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTD5N25E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTD5N25E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD5N25E1 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型垂直DMOS功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装。其典型参数包括:VDSS = 250 V,ID(连续)= 5 A,RDS(on) ≈ 0.9 Ω(VGS = 10 V),具备良好的开关速度与热稳定性。 该器件主要应用于中低功率、高电压的开关场景,常见于: ✅ 离线式AC-DC电源:如适配器、充电器中的初级侧开关或次级同步整流控制; ✅ DC-DC转换器:在升压(Boost)、降压(Buck)或反激(Flyback)拓扑中作为主开关管,适用于工业电源、LED驱动电源等; ✅ 电机控制:用于小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动中的单臂开关(需搭配互补器件); ✅ 继电器/电磁阀驱动电路:替代机械继电器,实现固态开关控制,提升可靠性和寿命; ✅ 消费电子与家电:如智能电表、小功率逆变器、风扇调速模块、电动工具控制板等。 其TO-252封装便于PCB布局与散热(配合敷铜区),且具备一定的雪崩耐受能力(UIS rated),提升了系统鲁棒性。注意:实际应用中需合理设计栅极驱动(避免振荡)、提供足够散热及过压/过流保护,以确保长期稳定运行。