图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD20P06HDL由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD20P06HDL价格参考。ON SemiconductorMTD20P06HDL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTD20P06HDL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTD20P06HDL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD20P06HDL 是安森美(ON Semiconductor)推出的 P 沟道增强型 MOSFET,采用 TO-252(DPAK)封装,额定电压 -60V,连续漏极电流 -20A(Tc=25°C),导通电阻典型值仅 45mΩ(VGS = -10V),具备低栅极电荷和快速开关特性。 其典型应用场景包括: ✅ 电源管理:用于 DC-DC 转换器(如同步降压电路)中的高边或低边开关,尤其适配 12V–48V 工业/车载系统; ✅ 电机控制:驱动中小功率直流电机、步进电机的H桥反向臂(P沟道常用于上桥臂,简化驱动设计); ✅ 负载开关与电源切换:在工业控制板、通信设备中实现板级电源的受控启停、热插拔保护及反向电流阻断; ✅ 电池管理系统(BMS):用于电池保护电路中的充放电路径控制(如过流/短路保护中的P-MOS开关); ✅ LED 驱动与照明:在调光/开关式 LED 驱动器中作为恒流调节或使能开关。 该器件具备雪崩耐量(Rugged Avalanche Rated),支持一定脉冲能量吸收,增强了系统鲁棒性;符合 AEC-Q101(部分批次),亦适用于汽车电子辅助系统(如车窗升降、座椅调节等非安全关键应用)。需注意其为 P 沟道结构,驱动逻辑与 N 沟道相反(低电平导通),设计时应匹配合适的栅极驱动电平(推荐 VGS ≤ –10V 全导通)。