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  • 型号: MTB60N05HDLT4
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB60N05HDLT4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB60N05HDLT4价格参考。ON SemiconductorMTB60N05HDLT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB60N05HDLT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB60N05HDLT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB60N05HDLT4 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型高压MOSFET,采用DPAK(TO-252)贴片封装,具有60V耐压、60A连续漏极电流(Tc=25℃)、低导通电阻(Rds(on)典型值仅8.5mΩ @ Vgs=10V)及快速开关特性。其主要应用场景包括:

- 汽车电子:符合AEC-Q101认证,适用于车载DC-DC转换器、LED车灯驱动(前照灯/尾灯调光与开关)、电动座椅/车窗电机控制、电池管理系统(BMS)中的充放电保护开关等。

- 工业电源与电机控制:用于中功率开关电源(如通信电源、工业适配器)、伺服驱动器、无刷直流(BLDC)电机的半桥/全桥驱动,以及PLC输出模块中的负载开关。

- 消费类与家电:在智能家电(如变频空调压缩机驱动、洗衣机主驱、吸尘器高速电机控制)中作为高效功率开关,兼顾能效与散热可靠性。

- 其他:电子负载、热插拔电路、电源ORing应用及高可靠性备用电源切换系统。

该器件集成低Qg(栅极电荷)和优化体二极管,支持高频PWM控制,配合DPAK封装便于PCB布局与热管理,适用于对效率、尺寸和车规可靠性有较高要求的中高功率开关场景。(字数:398)
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