【未分类_MTB55N06Z】封装/厂家_MTB55N06Z中文资料_价格

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型号： MTB55N06Z
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB55N06Z由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB55N06Z价格参考。ON SemiconductorMTB55N06Z封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTB55N06Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTB55N06Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB55N06Z 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，具有 60V 耐压、55A 连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on) 典型值约 11.5mΩ），并具备良好的开关性能与热稳定性。

其典型应用场景包括：  
✅ DC-DC 电源转换器：如同步降压（Buck）转换器中的主开关管或同步整流管，适用于工业电源、通信电源及服务器 PSU。  
✅ 电机驱动电路：用于中小功率直流电机（如风机、水泵、电动工具）的 H 桥或单向驱动，支持 PWM 高频调速控制。  
✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护回路中的主控开关，配合保护 IC 实现过流、短路及反接保护。  
✅ LED 驱动电源：在恒流 LED 驱动器中用作开关器件，适用于路灯、工矿灯等中高功率照明系统。  
✅ 逆变器与UPS：在小功率离网逆变器或在线式 UPS 的 DC/AC 后级桥臂中承担开关功能（需搭配驱动与保护设计）。

该器件具备雪崩耐量（UIS rated），适合存在感性负载或电压尖峰的应用环境；但需注意合理设计栅极驱动（推荐 10–15V 驱动电压）、PCB 散热布局及并联使用时的均流措施。不建议用于线性区长时间工作（如电子负载），以免过热失效。

（注：品牌“-”应为笔误，实际制造商为 onsemi；型号前缀“MTB”代表其高可靠性功率封装系列。）

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