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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT49H32M18BM-33:B 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,主要面向工业级和高端应用领域。该型号具有较高的数据传输速率和稳定性,适用于对存储性能要求较高的系统。 其主要应用场景包括: 1. 通信设备:如路由器、交换机等网络基础设施设备,需要高速缓存进行数据包处理和转发。 2. 工业控制与自动化系统:用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机等设备中,支持实时数据采集与处理。 3. 汽车电子系统:包括高级驾驶辅助系统(ADAS)、车载信息娱乐系统(IVI),对可靠性和温度适应性有较高要求。 4. 安防监控设备:如高清视频存储设备和摄像头,用于快速读写视频流数据。 5. 嵌入式系统:如医疗设备、测试仪器等,需长时间稳定运行并具备较强的数据处理能力。 该存储器模块具备宽温工作范围和较强的抗干扰能力,适合在复杂环境下使用,满足高可靠性应用场景的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC RLDRAM 576MBIT 3.3NS UBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT49H32M18BM-33:B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 144-µBGA (18.5x11) |
| 包装 | 散装 |
| 存储器类型 | RLDRAM 2 |
| 存储容量 | 576M(32M x 18) |
| 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 3.3ns |