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产品简介:
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Micron Technology Inc. 是全球知名的半导体存储器制造商,型号为 MT47H32M8BP-3:B TR 的产品属于其DRAM(动态随机存取存储器)系列。该型号为8M x32的DRAM芯片,采用BGA封装,适用于需要中等容量高速存储的应用场景。 该存储器主要应用于以下领域: 1. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机等,用于临时存储运行数据和程序,提升系统响应速度。 2. 通信设备:如路由器、交换机和基站设备,用于缓存数据包和提升数据处理效率。 3. 汽车电子系统:包括车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统(ADAS)等,满足汽车环境中对可靠性和性能的要求。 4. 消费类电子产品:如数字电视、机顶盒、游戏设备等,用于图像和视频数据的快速处理与显示。 5. 医疗设备:如便携式诊断仪器、成像设备等,提供稳定的数据缓存支持,确保设备运行的实时性和准确性。 该产品具有较高的稳定性和兼容性,适合在中高端嵌入式系统中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 3NS 60FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT47H32M8BP-3:B TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | 60-FBGA(8x12) |
其它名称 | 557-1050-1 |
包装 | 剪切带 (CT) |
存储器类型 | DDR2 SDRAM |
存储容量 | 256M(32M x 8) |
封装/外壳 | 60-FBGA |
工作温度 | 0°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
速度 | 3ns |