Datasheet下载- 型号： MT41K512M8RH-125:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K512M8RH-125:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K512M8RH-125:E TR价格参考。Micron Technology IncMT41K512M8RH-125:E TR封装/规格：存储器， SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA（9x10.5）。您可以下载MT41K512M8RH-125:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT41K512M8RH-125:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT41K512M8RH-125:E TR 是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款DDR3L SDRAM存储器，属于低电压、高性能的动态随机存取存储器，广泛应用于对功耗和稳定性要求较高的电子设备中。 该型号存储器主要适用于工业控制设备、网络通信设备（如路由器、交换机）、嵌入式系统、固态硬盘（SSD）控制器、视频监控设备以及车载电子系统等场景。其工作电压为1.35V，相比标准DDR3更节能，适合需要低功耗运行的系统；同时具备良好的温度适应性，可在较宽的温度范围内稳定工作，因此也适用于严苛环境下的工业应用。 此外，该芯片采用8Gb容量（512M x 8）、小型化封装（FBGA），便于集成在空间受限的PCB板上，常用于高密度内存模组设计。由于其可靠的性能和长期供货保障，被广泛用于需要长时间稳定运行的设备中，如数据中心辅助模块、医疗设备及自动化控制系统等。 总之，MT41K512M8RH-125:E TR 凭借低功耗、高稳定性和宽温特性，成为工业与嵌入式领域中主流的存储解决方案之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K512M8RH-125:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA （9x10.5） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4G（512M x 8） |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 800MHz |
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