Datasheet下载- 型号： MT41K512M8RH-125 M:E
- 制造商： Micron Technology Inc
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K512M8RH-125 M:E由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K512M8RH-125 M:E价格参考。Micron Technology IncMT41K512M8RH-125 M:E封装/规格：存储器， SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA（9x10.5）。您可以下载MT41K512M8RH-125 M:E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT41K512M8RH-125 M:E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT41K512M8RH-125 M:E 是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款DDR3L SDRAM存储器，容量为4Gb（512M×8），采用80-ball FBGA封装，工作电压为1.35V，属于低功耗DDR3内存颗粒。该型号广泛应用于对性能、功耗和稳定性要求较高的嵌入式系统与工业级设备中。 典型应用场景包括：网络通信设备（如路由器、交换机）、服务器内存模组、工业自动化控制设备、高端嵌入式处理器平台（如搭载FPGA或ARM架构的系统）、医疗电子设备以及车载信息控制系统等。其1.25ns的存取速度支持高频数据传输，适合处理密集型任务。 此外，该存储器符合JEDEC标准，具备良好的兼容性和可靠性，适用于宽温环境（工业级温度范围），因此在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。常用于需要长时间连续运行且对数据完整性要求高的场合。 由于其高密度、低功耗特性，也常见于节能型计算模块和固态存储控制器中，如企业级SSD和存储阵列设备。总体而言，MT41K512M8RH-125 M:E 是面向工业、通信和高性能计算领域的可靠存储解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K512M8RH-125 M:E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA （9x10.5） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4G（512M x 8） |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 800MHz |
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