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产品简介:
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MT41K512M8RH-125 M:E TR是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款DDR3L SDRAM存储器,容量为4Gb(512M×8),采用86球FBGA封装,工作电压为1.35V,速度等级为125(即1600Mbps),符合JEDEC标准。该型号属于低功耗DDR3内存,适用于对能效和稳定性要求较高的嵌入式及工业级应用场景。 主要应用场景包括:网络通信设备(如路由器、交换机)、工业自动化控制系统、嵌入式计算平台(如工控机、边缘计算设备)、视频监控系统、车载电子系统以及消费类高端主板和迷你PC等。由于其宽温工作范围和高可靠性,也常用于严苛环境下的工业和户外设备。 该芯片广泛应用于需要中等容量内存、低功耗和持续稳定运行的系统中,特别适合空间受限但性能要求较高的紧凑型设计。此外,其托盘包装(TR)形式便于自动化贴片生产,适用于大批量制造场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K512M8RH-125 M:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA (9x10.5) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4G(512M x 8) |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 800MHz |