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产品简介:
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Micron Technology Inc.(美光科技)生产的存储器型号MT41J64M16JT-125E:G是一款DDR3 SDRAM(同步动态随机存取存储器),主要应用于需要高性能内存支持的电子设备中。以下是其具体应用场景: 1. 服务器和数据中心:该型号的DDR3 SDRAM以其高带宽和低延迟特性,适合用于服务器和数据中心环境,为多任务处理、大数据分析和云计算提供强大的内存支持。 2. 网络设备:在网络交换机、路由器等设备中,这种存储器可以快速处理和缓存数据包,确保高效的网络通信性能。 3. 嵌入式系统:在工业控制、医疗设备和自动化系统等嵌入式应用中,该存储器能够满足实时数据处理和存储需求,保证系统的稳定性和可靠性。 4. 图形处理和游戏设备:对于需要大量图形渲染的应用场景,如高端显卡或游戏主机,此型号的存储器可提供快速的数据访问速度,提升图像质量和游戏体验。 5. 消费电子产品:在某些高端电视、机顶盒和其他多媒体设备中,该存储器可用于支持高清视频解码和流畅的用户界面操作。 总结来说,MT41J64M16JT-125E:G凭借其出色的性能和稳定性,广泛应用于对内存要求较高的领域,包括服务器、网络设备、嵌入式系统、图形处理以及消费电子产品等。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 800MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41J64M16JT-125E:G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 96-FBGA(8x14) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 1G(64M x 16) |
| 封装/外壳 | 96-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 速度 | 800MHz |