图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR价格参考。Micron Technology IncMT29F8G08ABABAWP-IT:B TR封装/规格:存储器, FLASH - NAND Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 48-TSOP I。您可以下载MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款NAND闪存存储器,属于高密度、低功耗的串行接口闪存产品,广泛应用于对空间和功耗敏感的嵌入式系统中。该型号典型容量为8Gb(1GB),采用WSON-8小型封装,适合紧凑型电子设备设计。 其主要应用场景包括:物联网(IoT)设备,如智能传感器、可穿戴设备,用于存储固件和运行数据;消费类电子产品,如智能音箱、Wi-Fi模块、蓝牙模块等,支持代码存储与启动功能;工业控制设备,如PLC、HMI人机界面,提供可靠的数据记录与程序存储;车载电子系统,如行车记录仪、车载信息终端,满足汽车级温度范围和稳定性要求;以及通信模块、无线路由器中的固件存储。 该器件具备良好的耐久性和数据保持能力,支持高效读写操作,适用于需要长期稳定运行、频繁读取程序代码或进行小量数据更新的场景。由于其工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),也适合在恶劣环境条件下使用。总体而言,MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR是一款面向嵌入式应用的可靠串行NAND解决方案,适用于多种中低端存储需求的智能化设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 8GBIT 48TSOP |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-TSOP I |
| 其它名称 | 557-1492-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 8G(1G x 8) |
| 封装/外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | - |