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产品简介:
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IDT71024S20YI8 是由 Integrated Device Technology Inc(简称IDT)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),属于高速缓存或共享内存应用中的常用器件。该器件为高速双端口SRAM,容量为16K x 8位,访问时间20ns,常用于需要快速数据存取的通信、网络和工业控制等领域。 其主要应用场景包括: 1. 通信设备:用于路由器、交换机等设备中作为数据缓存,支持高速数据包的临时存储与转发; 2. 网络处理系统:在网络处理器或FPGA系统中作为共享内存,实现多处理器之间的高速数据交换; 3. 工业控制系统:在工业自动化设备中用于实时数据存储与快速响应控制; 4. 测试与测量仪器:用于示波器、逻辑分析仪等仪器中,支持高速信号采集与处理; 5. 嵌入式系统:在需要高速数据缓存的嵌入式系统中作为主存储器或辅助存储器使用。 该器件采用CMOS工艺,具备高速、低功耗、高可靠性等优点,适合在工业级温度范围内稳定工作,广泛应用于对性能和稳定性要求较高的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/71024-data-sheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71024S20YI8 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-SOJ |
| 其它名称 | 71024S20YI8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 封装/外壳 | 32-BSOJ |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 20ns |