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- 型号： MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR价格参考。Micron Technology IncMT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款NAND闪存存储器，属于并行接口的SLC（单层单元）NAND Flash，容量为2Gb（256MB），采用TSOP封装。该型号以其高可靠性、耐用性和稳定性著称，广泛应用于对数据存储性能和寿命要求较高的工业及嵌入式场景。 主要应用场景包括：工业自动化设备，如PLC控制器、人机界面（HMI）和工控机，用于存储程序代码和运行数据；网络通信设备，如路由器、交换机和基站模块，支持固件存储与快速读取；汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），在宽温范围内稳定工作；医疗设备，如便携式监护仪和影像设备，保障关键数据的可靠写入与长期保存；消费类电子产品中的高端智能设备，如数字电视、机顶盒和打印机等。 由于采用SLC技术，该存储器具备出色的擦写寿命（通常可达10万次以上）和抗干扰能力，适合频繁读写或恶劣环境下的应用。同时，其符合RoHS环保标准，并支持宽工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于严苛工业环境。整体上，MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR是一款面向中高端嵌入式系统的可靠存储解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 63-VFBGA |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 2G（256M x 8） |
| 封装/外壳 | 63-VFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 速度 | - |
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