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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSMLJ20AE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMLJ20AE3价格参考。MICRO-SEMIMSMLJ20AE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSMLJ20AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSMLJ20AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology的一部分)生产的MSMLJ20AE3是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于MSML系列。这类器件主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和其他瞬态过压事件的影响。 应用场景 1. 数据线保护 MSMLJ20AE3适用于各种高速数据接口的保护,例如USB、HDMI、以太网、RS-232和RS-485等。其低电容特性(典型值为15pF)确保了对高速信号的最小干扰,同时提供强大的ESD防护能力。 2. 通信设备 在手机、平板电脑、路由器、交换机和其他通信设备中,该TVS二极管可用于保护射频(RF)端口、天线接口和音频线路等关键部分。 3. 消费类电子产品 该型号广泛应用于消费类电子产品,如电视、音响系统和家用电器中的控制模块,防止因外部干扰导致的损坏或性能下降。 4. 工业自动化 在工业环境中,MSMLJ20AE3可以保护传感器接口、控制信号线和通信总线,抵御恶劣条件下的电气瞬变。 5. 汽车电子 汽车应用中,这款TVS二极管可用于车载信息娱乐系统、导航设备以及CAN/LIN总线的保护,满足AEC-Q101标准的要求。 6. 电源管理 对于低电压电源线和辅助电路,MSMLJ20AE3能够有效抑制电压尖峰,保障系统的稳定运行。 特性亮点 - 工作电压:20V,适合多种低压应用场景。 - 箝位电压:在规定电流下的箝位电压较低,可最大限度地减少对被保护电路的影响。 - 高浪涌能力:能承受高达±20kV(接触放电)和±30kV(空气放电)的ESD冲击。 - 小型封装:采用SOD-323封装,节省空间,便于集成到紧凑型设计中。 总之,MSMLJ20AE3凭借其出色的性能和可靠性,成为众多电子设备中不可或缺的保护元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护 |
描述 | TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB |
产品分类 | TVS - 二极管 |
品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10563-msml-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | MSMLJ20AE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同频率时的电容 | - |
供应商器件封装 | DO-214AB |
其它名称 | 1086-9008 |
功率-峰值脉冲 | 3000W (3kW) |
包装 | 散装 |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DO-214AB,SMC |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
应用 | 通用 |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 22.2V |
电压-反向关态(典型值) | 20V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 32.4V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 92.6A |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |