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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MSMCJ12CAE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSMCJ12CAE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMCJ12CAE3价格参考。MICRO-SEMIMSMCJ12CAE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSMCJ12CAE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSMCJ12CAE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的MSMCJ12CAE3是一款TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路中的过电压保护。该器件属于双向TVS二极管，适用于需要防止静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应等引起的瞬态电压冲击的场景。 其典型应用场景包括： 1. 通信设备：用于以太网接口、USB端口、RS-485等数据线路中，保护敏感的通信芯片免受静电和瞬态电压损害。 2. 工业控制系统：在PLC、传感器和执行器接口中提供浪涌保护，提高系统稳定性和可靠性。 3. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中，用于保护充电接口、数据接口免受静电损坏。 4. 汽车电子系统：用于车载网络（CAN、LIN）、娱乐系统和控制模块中，满足汽车环境下的电磁兼容性（EMC）要求。 5. 电源管理电路：作为输入电源端的初级保护器件，吸收因电源开关或雷击引起的电压尖峰。 MSMCJ12CAE3具有低钳位电压、响应速度快、高可靠性等特点，符合IEC 61000-4-2 ESD标准，适用于各种对静电和瞬态电压敏感的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10561-msmc-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MSMCJ12CAE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 其它名称 | 1086-8512 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 75.3A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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