Datasheet下载- 型号： MSMBJ12AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSMBJ12AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMBJ12AE3价格参考。MICRO-SEMIMSMBJ12AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSMBJ12AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSMBJ12AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的MSMBJ12AE3是一款单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击浪涌等瞬态电压的损害。 该器件的击穿电压约为12V，适用于工作电压较低的电路保护，常见应用场景包括： 1. 通信设备：如以太网接口、USB端口、RS-485等数据线路的过压保护； 2. 工业控制系统：用于PLC、传感器和工业计算机等设备中，提升系统在恶劣电磁环境中的稳定性； 3. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的接口保护； 4. 汽车电子：用于车载信息娱乐系统、控制模块等对静电和瞬态电压敏感的电路； 5. 医疗设备：保护精密电子线路免受外部电压瞬变干扰，确保设备运行安全。 MSMBJ12AE3采用SMB表面贴装封装，响应速度快、钳位电压低，具备较高的可靠性与稳定性，适合在空间有限且对保护性能要求高的设计中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10560-msmb-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MSMBJ12AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SMBJ（DO-214AA） |
| 其它名称 | 1086-8016 |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 30.2A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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