Datasheet下载- 型号： MSC2295-CT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSC2295-CT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSC2295-CT1G价格参考。ON SemiconductorMSC2295-CT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSC2295-CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSC2295-CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSC2295-CT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），采用SOT-23（SC-59）封装，专为高频、低噪声、中功率射频放大应用优化。其典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信前端：适用于2G/3G/4G LTE手机及模块中的驱动级或末级射频功率放大器（PA），支持800–2200 MHz频段； 2. 无线基础设施：用于小型基站（pico/femtocell）、直放站及射频收发模块中的低功耗宽带放大电路； 3. ISM频段设备：在902–928 MHz、2.4 GHz等免许可频段的无线传感器网络（WSN）、Zigbee、Bluetooth®（Class 1）和遥控系统中，作为高增益、高效率的射频放大级； 4. 汽车电子：满足AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否通过，但该系列设计兼顾车规可靠性），可用于车载远程无钥匙进入（RKE）、TPMS接收前端等射频接收链路的低噪声放大（LNA）或缓冲放大； 5. 通用射频设计：因具备高fT（典型值达7 GHz）、优良的增益平坦度与稳定性，也常用于实验室射频测试板、教学实验平台及定制化窄带/宽带放大器设计。 该器件强调高线性度与低失真，适合需兼顾效率与信号保真度的应用，不推荐用于大功率发射（如宏基站主功放）或毫米波频段。实际使用时需配合匹配网络与稳定偏置电路以确保全频带稳定工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MSC2295-CT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 1mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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