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- 型号： MRFG35003ANR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35003ANR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35003ANR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35003ANR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35003ANR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35003ANR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35003ANR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率 MOSFET，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计（典型工作频段：2400–2500 MHz），采用 SOT-89 封装。其主要应用场景包括： 1. Wi-Fi 无线通信系统：广泛用于 IEEE 802.11b/g/n/ac 的 2.4 GHz Wi-Fi 接入点（AP）、路由器、中继器及客户端设备的末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率输出（典型 P1dB ≈ +30 dBm，PAE > 30%）。 2. 物联网（IoT）与短距离无线模块：适用于智能家居、工业无线传感器网络等对尺寸、功耗和成本敏感的 2.4 GHz ISM 频段设备，如 Zigbee、Thread 及私有协议模块的射频前端。 3. 无线音视频传输与消费电子：用于无线显示（如 WirelessHD 衍生方案）、无线音箱、无人机图传等需稳定中功率射频放大的场景。 4. 小基站与分布式天线系统（DAS）：作为微型基站（Small Cell）或室内覆盖单元中的低功耗射频功放组件，满足紧凑布局与热管理要求。 该器件具备良好的热稳定性、高增益（Gps > 15 dB）及内置ESD保护，适合表面贴装自动化生产，常配合匹配电路与偏置网络用于5V单电源供电设计。不适用于5G Sub-6 GHz或毫米波频段，亦非通用开关/电源管理用途。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35003ANR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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