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- 型号： MRFE6S9201HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9201HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9201HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9201HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9201HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9201HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9201HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为高功率、高频通信应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站射频功放（PA）：适用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站的宏蜂窝及微蜂窝发射链路，支持 1.8–2.2 GHz 频段（如 Band 1/3/7/38/40），可单管实现 200 W 连续波（CW）或 100 W 平均功率（在 Doherty 架构下）。 - 广播与无线基础设施：用于 UHF 频段（如 470–862 MHz）数字电视（DTV）、FM 广播激励器及中继系统中的末级功率放大。 - 工业与科研射频源：如 MRI 射频功放模块、等离子体发生器、RF 加热设备等需高效率（典型 >65%）、高线性度与良好热稳定性的场合。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异散热能力与可靠性，支持高电压（VDD = 32 V）、高增益（>18 dB）及宽瞬时带宽，常配合预失真（DPD）技术满足严苛的 ACPR 与 EVM 指标要求。广泛应用于通信设备制造商（如爱立信、诺基亚、中兴）的射频子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9201HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.8dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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