Datasheet下载- 型号： MRFE6S9160HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9160HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9160HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9160HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9160HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9160HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRFE6S9160HSR5的射频MOSFET晶体管，由NXP USA Inc.生产，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件特别适用于工作频率在1.8 GHz至6 GHz范围内的高频通信系统，具有高功率密度、高效率和良好线性度的特点。 MRFE6S9160HSR5常用于无线通信基础设施，如4G LTE基站、5G通信设备、WiMAX基站等，作为射频信号的主功率放大器。此外，它也适用于广播系统、工业加热设备、医疗射频设备以及测试与测量仪器中的射频功率输出模块。 由于其高可靠性和优异的热稳定性，该器件能够在复杂电磁环境和较高温度条件下稳定工作，适合对性能和稳定性要求较高的工业和通信应用。其封装形式HSR5为高热导性封装，有助于快速散热，提升整体系统稳定性与寿命。 总结来说，MRFE6S9160HSR5广泛应用于现代高频通信系统中的射频功率放大环节，尤其适合对输出功率、效率和稳定性有较高要求的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9160HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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