Datasheet下载- 型号： MRFE6S9160HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9160HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9160HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9160HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9160HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9160HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9160HSR3是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件特别适用于160MHz至960MHz的频率范围，具备高效率、高增益和高耐用性，因此广泛应用于以下场景： 1. 广播发射机：如调频（FM）和电视广播（TV）发射系统，用于信号的高功率放大。 2. 工业、科学和医疗（ISM）频段设备：用于高频能量传输和射频激励设备，如射频加热、等离子体生成等。 3. 通信基础设施：包括蜂窝基站、中继器和宽带通信系统，用于提升信号覆盖和传输质量。 4. 军用和航空航天系统：适用于需要高可靠性和稳定性的射频发射装置，如雷达和通信设备。 该器件采用高耐用封装设计，具备良好的热稳定性和抗失真能力，适合连续波（CW）和复杂调制信号的应用场景。其高效率特性有助于降低功耗和散热需求，提升系统整体可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9160HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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