Datasheet下载- 型号： MRFE6S9135HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9135HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9135HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9135HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9135HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9135HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9135HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 S 波段），输出功率达 135 W（连续波），具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型值 >65%）及优异的热稳定性和可靠性。 主要应用场景包括： • 无线通信基站：用于 4G LTE 及 5G NR 宏基站的末级功率放大器（PA），尤其适配 2.1 GHz 频段（如 Band 1/Band 30）； • 广播发射系统：适用于数字电视（ATSC 3.0）、FM/TV 中继发射机中的射频功率放大模块； • 雷达与电子对抗（EW）系统：在 S 波段战术雷达、气象雷达及干扰机中提供高线性度与脉冲功率能力； • 工业与医疗射频源：如等离子体发生器、MRI 射频功放、RF 加热设备等需稳定大功率射频输出的场景。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持风冷或液冷散热，内置ESD保护和VSWR耐受设计（可承受10:1负载失配），适合高可靠性要求的商用与军用环境。需配合匹配网络、偏置电路及驱动级使用，常搭配NXP推荐的MRF系列驱动管构建多级放大链。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9135HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 39W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 940MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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