图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRFE6S9046NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9046NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9046NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9046NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9046NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9046NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4射频MOSFET晶体管 HV6E 45W GSM |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 uA |
| Id-连续漏极电流 | 10 uA |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6S9046NR1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRFE6S9046NR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 66 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 66 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V, + 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V, + 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 35.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 1.646 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 封装/箱体 | TO-270 WB GULL |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 66 V |
| 漏极连续电流 | 10 uA |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 系列 | MRFE6S9046N |
| 配置 | Single Dual Drain Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | - 6 V, + 10 V |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | 10µA |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
