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产品简介:
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MRFE6S9046GNR1 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET,专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率为 1.8–2.2 GHz(支持 S 波段),输出功率达 46 W(连续波),具备高增益(约 18 dB)、高效率(典型值 >65%)及优异的热稳定性和可靠性。 主要应用场景包括: - 无线通信基站:用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站或小型基站(Small Cell)的末级功率放大器(PA),尤其适用于 2.1 GHz 频段的多载波信号放大; - 广播与无线传输设备:如数字电视(DTMB、DVB-T/T2)和调频广播发射机中的中功率射频功放模块; - 工业与医疗射频源:如等离子体发生器、MRI 射频激励系统、RF 加热设备等需稳定高功率射频输出的场景; - 雷达系统:适用于中短距商用/工业雷达(如交通监控、安防雷达)的发射链路放大器。 该器件采用气腔封装(NI-780GH),支持法兰安装与强制风冷/水冷散热,符合 RoHS 标准,内置 ESD 保护,并支持宽带匹配设计,便于工程师在紧凑布局下实现高效阻抗匹配与线性度优化(配合 DPD 数字预失真技术)。 综上,MRFE6S9046GNR1 是面向中高频、中高功率、高可靠性要求的射频功率放大核心器件,广泛应用于通信基础设施与专业射频系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4射频MOSFET晶体管 HV6E 45W GSM |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6S9046GNR1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRFE6S9046GNR1 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 66 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 66 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V, 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 鸥翼形 |
| 功率-输出 | 35.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 1.635 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-270BB |
| 封装/箱体 | TO-270 WB GULL |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 66 V |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 系列 | MRFE6S9046N |
| 配置 | Single Dual Drain Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | 10µA |