Datasheet下载- 型号： MRF9085LSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9085LSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9085LSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF9085LSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9085LSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9085LSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF9085LSR3 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为860–960 MHz频段设计，典型工作频率覆盖UHF频段（如870–960 MHz），适用于高效率、高线性度的射频功率放大场景。其主要应用场景包括： 1. 蜂窝通信基站：用于GSM、EDGE、LTE等2G/3G/4G宏基站及分布式基站（BBU+RRU架构）中的末级功率放大器（PA），支持高输出功率（典型Pout=85W CW或脉冲模式）与高漏极效率（>65%）。 2. 无线基础设施设备：适用于中继站、微基站、直放站及小小区（Small Cell）的射频功放模块，满足严苛的ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）指标要求。 3. 工业与广播应用：可用于UHF频段的数字电视（DTMB、DVB-T/T2）发射机、RF加热、等离子体发生器等需要稳定大功率射频输出的工业系统。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1229A），具备优异的热稳定性与可靠性，支持宽带匹配设计，可简化外围电路；内置ESD保护与热反馈结构，适配连续波（CW）及复杂调制信号（如OFDM、64-QAM）工作条件。需配合NXP推荐的驱动级与匹配网络，并严格遵循PCB布局与散热设计规范以确保性能与寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9085LSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 105W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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