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产品简介:
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MRF9085LR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频(RF)LDMOS MOSFET 晶体管,专为 860–960 MHz 频段设计,典型工作频率覆盖 UHF RFID 读写器、无线麦克风、低功率基站(如小型蜂窝/中继器)、ISM 波段(如 915 MHz)工业无线通信系统等场景。其封装为无铅、符合 RoHS 的 TO-270WB-4(带裸焊盘),具备高增益(典型功率增益 >15 dB)、高效率(典型漏极效率约 65% @ 915 MHz)及良好热稳定性,适合连续波(CW)或调制信号(如 OFDM、QPSK)放大。典型应用包括:UHF RFID 固定式读写器的末级功率放大器(输出可达 +50 dBm / 10 W P1dB);小型化 900 MHz 无线音频传输设备(如演播室无线监听系统);智能电表、资产追踪等物联网终端的远距离 RF 前端;以及实验室用宽带射频信号源或教学实验平台中的中功率放大模块。该器件需配合匹配网络与良好散热设计使用,适用于要求高可靠性、中等功率(10 W 级)、窄带/准宽带放大的商用射频系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9085LR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 105W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |