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- 型号： MRF8S9202NR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9202NR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9202NR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9202NR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S9202NR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S9202NR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S9202NR3 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 900 MHz 频段（典型工作频段：869–960 MHz）设计。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：广泛用于 2G（GSM/EDGE）、3G（UMTS FDD）及部分窄带 4G/LTE 宏基站和微基站的末级功率放大器（PA），支持高效率、高线性度的连续波（CW）或调制信号放大。 - 工业与公共安全通信系统：适用于 TETRA、P25 等专业移动无线电（PMR）系统中的中高功率发射模块，满足严苛的散热与可靠性要求。 - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型蜂窝（Small Cell）和远程射频单元（RRU），尤其适合需兼顾输出功率（典型饱和输出达 20 W）与能效比的应用。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异的热稳定性和高增益（>18 dB），支持宽带匹配设计，并内置ESD保护，便于系统集成。需配合匹配网络、偏置电路及散热方案使用，典型应用需满足严格的ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）指标。 注：该型号已进入NXP产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估替代型号（如 MRF8S9202HSR3 或最新AFM系列），但现有设备仍大量用于在网通信基础设施中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 58W OM780-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S9202NR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | OM-780-2 |
| 功率-输出 | 58W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | OM-780-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 920MHz |
| 额定电流 | - |
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