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- 型号： MRF8S26120HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S26120HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S26120HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S26120HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S26120HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S26120HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S26120HSR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 功率晶体管，工作频率范围为 2.6–2.7 GHz，典型输出功率达 120 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。其主要应用场景包括： - 4G/5G 基站射频功放模块：特别适配 2.6 GHz 频段（如中国 TDD-LTE Band 38、Band 41 及 5G n41/n77 中频段），用于宏基站、微基站和有源天线单元（AAU）中的末级功率放大器（PA）。 - 无线通信基础设施：支持多载波 GSM、WCDMA、LTE 和 5G NR 信号，在高 PAR（峰均比）条件下仍具备良好线性度与ACLR性能，配合DPD（数字预失真）技术可满足严苛的频谱掩模要求。 - 宽带射频测试与工业系统：可用于射频能量发生器、EMC 测试激励源、广播辅助发射及雷达模拟器等中功率射频信号源。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异热管理能力与高可靠性，支持高电压（VDD = 28 V）、高增益（典型 >17 dB）和高漏极效率（>60%），广泛应用于通信设备制造商（如华为、中兴、爱立信供应链）的商用射频功率解决方案中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S26120HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.6dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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