【未分类_MRF8S23120HSR5】封装/厂家_MRF8S23120HSR5中文资料_价格

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型号： MRF8S23120HSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S23120HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S23120HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S23120HSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8S23120HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S23120HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8S23120HSR5 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.3–2.4 GHz 频段设计（典型工作频段：2300–2400 MHz），采用高散热能力的超模压（Over-Molded）封装（如NI-780H），支持连续波（CW）及复杂调制信号（如OFDMA、SC-FDMA）下的高效率、高线性度运行。

主要应用场景包括：  
• 5G Sub-6 GHz 基站功率放大器：适用于2.3 GHz频段的宏基站（Macrocell）和中继站，支持TDD模式下高平均输出功率（典型Pout=120W @ 2.35 GHz，GaN级性能，但基于成熟LDMOS工艺）；  
• LTE-A/5G NR 小基站（Small Cell）与分布式天线系统（DAS）：在需兼顾效率（典型PAE > 60% @ Pout=80W）、线性度（ACPR < –45 dBc）及长期可靠性的场景中广泛应用；  
• 无线宽带接入设备：如WiMAX（IEEE 802.16e）基站发射链路；  
• 工业与专用通信系统：包括公共安全通信（如TETRA增强频段）、点对点微波回传（辅助发射级）等对热稳定性和抗VSWR耐受性（可承受10:1负载失配）要求严苛的应用。

该器件集成ESD保护、优化输入/输出匹配（50 Ω典型），简化外围电路设计，配合NXP推荐的驱动级与偏置方案，可快速构建高可靠性射频功放模块。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8S23120HSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	28W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	800mA
频率	2.3GHz
额定电流	-