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- 型号： MRF8S23120HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S23120HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S23120HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S23120HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S23120HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S23120HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S23120HR5 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.3–2.4 GHz频段设计，典型应用包括： - 4G LTE基站功率放大器：适用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级功放（PA），支持高效率、高线性度的宽带信号放大（如20 MHz LTE载波），满足ACLR和EVM等严苛指标。 - WLAN/Wi-Fi 5/6基础设施设备：用于2.4 GHz ISM频段的高功率接入点（AP）、企业级路由器及分布式天线系统（DAS），提升覆盖范围与多用户吞吐量。 - 无线专网与公共安全通信：如TETRA、P25等2.3–2.4 GHz频段的中继台、车载台射频功放模块，具备高可靠性与热稳定性。 - 工业与医疗射频源：如RF加热、等离子体发生器或MRI射频激励模块中的固态功率放大环节（需定制匹配电路）。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持连续波（CW）与脉冲工作模式，典型输出功率达120 W（P1dB），漏极效率＞60%，具备内置ESD保护和卓越的热管理能力，适合高功率密度、高可靠性要求的通信基础设施场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S23120HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 2.3GHz |
| 额定电流 | - |
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