Datasheet下载- 型号： MRF8S21200HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21200HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21200HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21200HSR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21200HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21200HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S21200HSR6 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段（如 WCDMA/LTE FDD Band 1）设计。其典型应用场景包括： • 蜂窝基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和中功率远端射频单元（RRU），支持高线性度、高效率（典型漏极效率达55%以上）及宽带宽（200 MHz 瞬时带宽），满足4G LTE及向5G演进中的多载波信号需求； • 无线基础设施设备：用于分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的末级射频功放模块； • 测试与通信系统：在射频信号发生器、信道模拟器、EMC抗扰度测试等工业级射频激励源中提供稳定大功率输出（连续波输出可达200W，脉冲模式更高）。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异热管理能力与高可靠性，支持+28 V 或 +32 V 单电源供电，内置ESD保护与VSWR耐受能力（10:1），可在严苛环境（如高温、高驻波比）下稳定运行。广泛应用于电信运营商网络建设、5G前传/中传射频链路及专业无线通信系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8S21200HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 48W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.1dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |
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