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- 型号： MRF8S21200HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21200HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21200HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21200HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21200HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21200HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S21200HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型用于 2110–2170 MHz），具备 200 W 连续波（CW）输出功率能力。其主要应用场景包括： - 4G LTE 基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级功放（PA），支持高效率、高线性度的多载波信号放大，满足 ACLR 和 EVM 等严苛通信指标。 - 5G Sub-6 GHz 基站预商用/扩展频段应用：虽非原生为 5G 设计，但在 2.1 GHz 主流 5G NR n1/n28 频段中可兼容部署，适用于分布式单元（DU）或有源天线单元（AAU）中的中功率射频链路。 - 无线基础设施测试与仿真系统：作为高可靠性射频源模块，用于实验室环境下的功放子系统验证、线性化算法（如DPD）开发及互调失真研究。 - 专用无线通信系统：如公共安全宽带网络（FirstNet）、专网 LTE（TETRA/LTE-M 扩展）及工业物联网（IIoT）基站设备。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），支持高热导率散热，具备优异的增益（典型20 dB）、效率（>65% @ 2.14 GHz, CW）及坚固性（VSWR ≥10:1 不损坏），适合高可靠性、连续运行的室外基站场景。注意：实际应用需配合匹配电路、稳定供电及数字预失真（DPD）系统以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8S21200HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 48W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.1dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |
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