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- 型号： MRF8S19260HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S19260HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S19260HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S19260HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S19260HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S19260HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S19260HSR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.9–2.0 GHz 频段设计（典型用于 PCS/DCS/WCDMA/LTE 基站）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和中等功率远端射频单元（RRU），支持 20–40 W 平均输出功率（采用 Doherty 架构时效率更高），满足 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 前传/分布式基站的线性化需求。 - 宽带无线接入设备：如 WiMAX、WTTx 等固定无线接入系统中的末级功放模块，得益于其高增益（典型17 dB）、高效率（>55% 在 1.96 GHz 脉冲条件下）及良好线性度（配合DPD数字预失真技术可满足ACLR要求）。 - 工业与军事射频系统：在雷达模拟器、电子对抗（EW）、测试仪器（如信号源/功率放大模块）等需稳定大功率射频输出的场景中，凭借其高可靠性（符合AEC-Q100标准）、耐热封装（NI-780H SMD 封装）及宽安全工作区（SOA）而被选用。 该器件需搭配匹配电路与高效散热设计（建议使用铜基PCB或金属底座），并推荐在 Class AB 或 Doherty 模式下工作以兼顾效率与线性。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S19260HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI1230S-8 |
| 功率-输出 | 74W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | - |
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