Datasheet下载- 型号： MRF8S19140HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S19140HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S19140HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S19140HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S19140HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S19140HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S19140HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1990 MHz），适用于蜂窝通信基础设施中的宏基站和中继站。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站功率放大器（PA）：支持高效率、高线性度的多载波信号放大，满足LTE-A及5G NR对ACLR、EVM等严苛指标要求； - 无线接入网（RAN）设备：如分布式基站（DAS）、有源天线单元（AAU）及小型基站（Small Cell）的末级功放模块； - 宽带无线接入系统：如WiMAX（虽已式微，但部分存量网络仍在使用）及专网通信（如公共安全、铁路通信）的发射链路； - 工业与广播应用：适用于ISM频段附近需高可靠性射频功率输出的场景，如RF加热、等离子体发生器等（需重新匹配设计）。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），支持高功率输出（典型P1dB达140 W，饱和输出功率>200 W），具备优异的热稳定性和坚固性（可承受10:1 VSWR负载失配），适合连续波（CW）或高峰均比（PAR）信号（如OFDM）长期运行。需配合NXP推荐的驱动级、输入/输出匹配网络及散热方案使用。 注意：该型号已进入NXP产品寿命终止（EOL）流程，建议新设计评估替代型号（如MRF8S19140HR5或AFM8S19140）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S19140HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 34W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.1dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 1.96GHz |
| 额定电流 | - |
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