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- 型号： MRF8S18260HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S18260HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S18260HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S18260HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S18260HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S18260HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S18260HSR5 是一款由 NXP（恩智浦）生产的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为蜂窝基站基础设施设计。其典型应用场景包括： - 4G/5G 宏基站功率放大器（PA）：工作频段覆盖 1805–1880 MHz（B3 上行/下行频段），适用于 LTE 和 NR（5G NR）的高效率、高线性度末级功放。 - 多载波宽带通信系统：支持高达 20 MHz 信号带宽，具备优异的ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）性能，满足严苛的3GPP发射标准。 - 远程射频单元（RRU）与有源天线系统（AAS）：采用气腔陶瓷封装（SOT-1222-2），热阻低、可靠性高，适合紧凑型、高功率密度的室外部署环境。 - 工业/军事雷达或测试设备中的中高频段射频源（次要应用）：在非通信领域，亦可用于2 GHz以下需高增益、高输出功率（典型Pout = 60 W @ 1880 MHz, 28 V）的射频激励级。 该器件需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计使用，常搭配NXP配套驱动器（如MMRF1022）及数字预失真（DPD）技术以优化整机效率与线性度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S18260HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI1230S-8 |
| 功率-输出 | 74W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | - |
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