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- 型号： MRF8P26080HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P26080HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P26080HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P26080HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P26080HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P26080HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P26080HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.6–2.7 GHz 频段设计（典型用于 B41（TDD-LTE）及 5G n41 频段）。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站与小型基站（Small Cell）功率放大器：支持高线性度、高效率（典型PAE > 55% @ 2.65 GHz），适用于 5G Massive MIMO 和多载波 LTE-Advanced 系统中的末级射频功放（PA）模块。 - 宽带无线接入设备：如 WTTx（无线固定接入）、点对多点（PMP）通信系统中，提供稳定输出功率（连续波下可达 80W，脉冲/OFDM 调制下平均功率约 20–30W）。 - 工业、科研与测试仪器：用于射频信号源、EMC 测试放大器、雷达模拟器等需高可靠性、宽温度范围（–40°C 至 +150°C 结温）和良好热稳定性的场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异散热性能和高可靠性；内置ESD保护与输入匹配网络，简化外围设计。适用于高动态范围、高效率、严苛环境下的商用通信基础设施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 65V NI780S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P26080HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 2.62GHz |
| 额定电流 | - |
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