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- 型号： MRF8P20165WHR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20165WHR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20165WHR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20165WHR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20165WHR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20165WHR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20165WHR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频功率LDMOS晶体管，专为2.0–2.2 GHz频段（如2.14 GHz WCDMA/LTE基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：主要用于宏基站（Macro Base Station）和分布式基站（DAS）的末级射频功放模块，支持WCDMA、LTE FDD/TDD及5G NR Sub-3 GHz频段（兼容部分n1/n3/n7/n40等频段），满足高线性度与高效率要求。 - 多载波宽带应用：具备165W峰值输出功率（脉冲/连续波模式）、高增益（约18 dB @ 2.14 GHz）和优异的ACLR性能，适用于多载波（MC-WCDMA, 4×20 MHz LTE）系统，保障信号保真度与频谱合规性。 - 工业与专用无线系统：亦可用于雷达模拟器、射频测试设备、EMC抗扰度测试源等需稳定大功率射频激励的场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222），集成ESD保护，支持高可靠性连续波（CW）与调制信号工作，适配50 V供电系统，并需配合匹配网络与高效散热设计使用。注意：实际应用中须严格遵循NXP推荐的PCB布局、偏置电路与热管理规范，以确保长期稳定性与线性指标达标。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF LDMOS 28V 550MA NI780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20165WHR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 其它名称 | MRF8P20165WHR5DKR |
| 功率-输出 | 37W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.8dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.98GHz ~ 2.01GHz |
| 额定电流 | - |
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