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- 型号： MRF8P20160HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20160HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20160HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20160HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20160HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20160HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20160HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.0–2.025 GHz 频段设计（如 2.01–2.025 GHz 5G NR n258 毫米波辅助频段或 2.0 GHz LTE/5G 宏基站应用）。其典型应用场景包括： - 5G 宏蜂窝基站功率放大器（PA）：适用于大规模 MIMO（Massive MIMO）远端射频单元（RRU）中的末级功放，支持高线性度、高效率（典型漏极效率达 45% @ 2.015 GHz，Pout=160 W），满足 5G 多载波 OFDM 信号严苛的ACPR 和 EVM 要求。 - LTE-A / 5G Sub-6 GHz 基站系统：广泛用于 2.0 GHz 频段的运营商网络升级（如中国移动 2.0 GHz 频谱），支持 20–40 MHz 带宽多载波信号，在 Doherty 架构中用作主放大器或峰值放大器。 - 工业与专用无线通信设备：如公共安全宽带集群（如 TETRA 或 P25 升级系统）、固定无线接入（FWA）基站及卫星地面站射频链路中的高可靠性功率输出级。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1279-1），具备优异热稳定性与功率密度，支持连续波（CW）及脉冲工作模式，并通过 AEC-Q100 可靠性认证，亦适用于部分车规级通信模块。需配合匹配电路、偏置网络及高效散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DISCRETE RF FET |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20160HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.92GHz |
| 额定电流 | - |
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