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- 型号： MRF8P20160HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20160HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20160HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20160HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20160HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20160HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20160HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频功率 MOSFET，属 LDMOS 工艺，专为 2 GHz 频段设计（典型工作频段：1.8–2.2 GHz），额定输出功率达 160 W（连续波），适用于高效率、高线性度的射频功率放大场景。 主要应用场景包括： • 4G LTE 基站功率放大器：广泛用于宏基站和中功率远端射频单元（RRU）的末级功放（PA），支持多载波、高PAR信号（如256-QAM），配合DPD（数字预失真）可实现优异ACLR与EVM性能； • 5G Sub-6 GHz 基站：在3.5 GHz以下频段（如2.1 GHz、2.3 GHz、2.6 GHz）的早期5G部署中，作为多级PA链路中的驱动级或末级，满足中等功率需求（~40–80 W平均输出）； • 无线通信测试设备与宽带射频源：用于实验室级射频信号发生器、OTA测试系统及EMC抗扰度测试中的大功率激励源； • 专用无线系统：如公共安全通信（TETRA/LTE-Public Safety）、军用战术电台、卫星地面站上行链路等对可靠性与温度稳定性要求严苛的场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理能力，支持+28 V 或 +32 V 供电，内置ESD保护，工作结温范围达 –40°C 至 +225°C，适合工业级长期运行。需搭配匹配网络与稳定偏置电路使用，典型应用参考设计见NXP官方AN1952等文档。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DISCRETE RF FET |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20160HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.92GHz |
| 额定电流 | - |
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