Datasheet下载- 型号： MRF8P20140WHSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20140WHSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20140WHSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20140WHSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20140WHSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20140WHSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20140WHSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频功率 MOSFET，专为高效率、高增益的宽带射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站基础设施：适用于 1800–2200 MHz 频段（如 LTE Band 1/3/7/34/39），用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），支持多载波、高平均功率（连续波输出达 140 W）及高线性度要求； - 无线通信系统：广泛用于 4G/LTE 和部分 5G Sub-6 GHz 基站发射链路，满足 ACPR、EVM 等严苛线性指标； - 工业与广播射频源：如 RFID 激发器、医疗射频加热设备及宽带射频信号发生模块中的固态功率放大环节； - 测试与仪表：作为射频功率放大模块，集成于通信测试仪、EMC 测试系统或实验室宽带功放平台中。 该器件采用高热效气腔封装（Overmolded Ceramic Package），具备优异的热稳定性和可靠性，支持偏置可调（Class AB 或 Class C 工作模式），并内置ESD保护。配合 NXP 提供的匹配网络参考设计和模型（如 ADS/MWO 模型），便于快速完成系统集成。需注意其为高电压（VDD=28 V）、大电流器件，须搭配专业散热设计与稳压电源使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20140WHSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 1.88GHz ~ 1.91GHz |
| 额定电流 | - |
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