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- 型号： MRF8P20140WHR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20140WHR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20140WHR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20140WHR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20140WHR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20140WHR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20140WHR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频功率 LDMOS 晶体管，专为 2.0–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2010–2025 MHz），适用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝和微蜂窝射频功率放大器。其主要应用场景包括：4G LTE 和 5G NR（Sub-6 GHz）基站的末级功率放大器（PA），尤其适配 TDD 模式下的大规模 MIMO 基站系统；支持高效率 Doherty 架构，满足高线性度与高效率兼顾的需求；可用于远程射频单元（RRU）、有源天线单元（AAU）及分布式基站（BBU+RRU）架构中的发射链路。该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H-4L），具备优异的热稳定性和功率耐受能力（连续波输出功率达 140 W，脉冲模式更高），支持高增益（典型18 dB）和高漏极效率（>55% @ 2.14 GHz, 140 W Pout）。广泛应用于中国移动、中国联通、中国电信等运营商的2.1 GHz频段4G/5G网络建设，以及基站设备商（如华为、中兴、爱立信）的射频功放模块设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF LDMOS 28V 500MA NI780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20140WHR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 其它名称 | MRF8P20140WHR5DKR |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 1.88GHz ~ 1.91GHz |
| 额定电流 | - |
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