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- 型号： MRF8HP21130HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8HP21130HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8HP21130HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8HP21130HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8HP21130HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8HP21130HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8HP21130HSR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA/LTE Band 1、B25、B34/B39等）的基站功率放大器设计。其典型应用场景包括： - 宏基站（Macro Base Station）末级功率放大器（PA）：适用于2.1 GHz频段的4G LTE和5G NR（Sub-6 GHz）基站发射链路，支持高平均输出功率（>100 W）、高增益（约17 dB）与高效率（典型PAE >60%），满足高容量、远覆盖需求。 - 多载波宽带通信系统：具备优异的线性度（ACLR < –45 dBc）和热稳定性，适配20–40 MHz带宽的多载波信号放大，支持DPD（数字预失真）校正，保障高阶调制（如256-QAM）信号质量。 - 有源天线单元（AAU）与大规模MIMO前端：因采用气腔封装（SOT-1227A）及高可靠性设计，可集成于紧凑型AAU中，满足5G基站对功率密度、散热性与长期运行稳定性的严苛要求。 该器件不适用于消费类或低功率场景（如Wi-Fi模块、手机射频前端），亦非通用开关/电源管理用途——其设计目标明确聚焦于蜂窝通信基础设施中的高功率、高线性、高可靠性射频功放应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 65V NI780S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8HP21130HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 360mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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