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- 型号： MRF8HP21130HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8HP21130HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8HP21130HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8HP21130HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8HP21130HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8HP21130HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8HP21130HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如B1/IMT-2000/PCS扩展频段）设计，典型用于蜂窝基站功率放大器。其主要应用场景包括： - 4G LTE/5G Sub-6 GHz宏基站与微基站：支持高线性度、高效率的多载波信号放大，适用于Massive MIMO远端射频单元（RRU）和分布式基站（BBU+RRU架构）； - 无线基础设施中的预驱动级与末级功放：在2110–2170 MHz频段下，可单管输出高达130 W（峰值包络功率），配合Doherty架构实现高能效（典型PAE >55% @ 9 dB PAPR）； - 宽带通信系统：支持20–40 MHz瞬时带宽，满足LTE-A CA（载波聚合）及5G NR 3GPP Band 1需求； - 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA/LTE-P）、小型固定无线接入（FWA）基站等对可靠性与热稳定性要求严苛的场景。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），集成ESD保护与优化的热设计，支持连续波（CW）及高峰均比（PAPR）调制信号（如OFDMA），广泛应用于电信设备商（如华为、爱立信、诺基亚）的基站射频子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 65V NI780S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8HP21130HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 360mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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