【未分类_MRF8HP21080HR5】封装/厂家_MRF8HP21080HR5中文资料_价格

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型号： MRF8HP21080HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8HP21080HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8HP21080HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8HP21080HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8HP21080HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8HP21080HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8HP21080HR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其原始制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频功率 MOSFET，属 LDMOS 工艺，工作频率达 2.1–2.2 GHz，典型输出功率 80 W（连续波），适用于蜂窝通信基站的射频末级功放。

主要应用场景包括：  
- 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站：用于 2.1 GHz 频段（如 B1/B21）的发射链路末级放大，支持高效率（典型 PAE > 55%）、高线性度与宽带匹配；  
- 小型基站（Micro/Pico Cell）及有源天线单元（AAU）：凭借高功率密度与良好热稳定性，适配紧凑型射频模块设计；  
- 无线基础设施测试设备与宽带中继系统：支持多载波信号（如 20 MHz LTE 4×CC），具备优异 ACLR（邻道泄漏比）性能；  
- 工业/科研射频源：如医疗射频消融、等离子体激励等中高频大功率应用（需严格遵循散热与偏置设计规范）。

该器件采用 NI-780H-4L 封装，支持法兰安装与强制风冷/液冷，强调高可靠性（MTTF > 100 万小时）与ESD防护能力。使用时需配合匹配网络、稳定偏置电路及精准栅极驱动，以保障线性度与长期稳定性。  

（注：选型前务必核实官方数据手册及NXP原厂支持信息，避免因品牌归属误判导致技术风险。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 16W NI780-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MRF8HP21080HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780-4
功率-输出	16W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14.4dB
封装/外壳	NI-780-4
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	100
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	150mA
频率	2.17GHz
额定电流	-