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- 型号： MRF7S38040HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S38040HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S38040HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S38040HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S38040HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S38040HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S38040HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，属晶体管—FET/MOSFET—射频类别。其典型工作频率为3.4–3.8 GHz，适用于5G移动通信基站中的宏蜂窝和小基站（Small Cell）射频功率放大器（PA）。 主要应用场景包括： - 5G NR Sub-6 GHz 基站发射链路：支持n77/n78频段（3.3–3.8 GHz），用于大规模MIMO（Massive MIMO）有源天线单元（AAU）及分布式皮基站（pico/micro base station）的末级功放； - 宽带无线接入系统：如WTTx（Wireless To The x）固定无线接入设备，提供高线性度与高效率输出（典型P1dB达40 W，PAE > 45% @ 3.5 GHz）； - 测试与仪表用射频源模块：因具备良好增益平坦度、稳定性和热可靠性，适用于射频信号发生器、EMC测试激励源等中高功率射频子系统。 该器件采用气腔陶瓷封装（HR3），支持高功率密度散热，配合片外匹配网络可实现优异ACLR与EVM性能，满足5G多载波OFDM信号严苛的线性度要求。不适用于消费类Wi-Fi或低功率IoT终端，专为基础设施级中高功率射频应用设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S38040HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400-240 |
| 功率-输出 | 8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-400-240 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 3.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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