Datasheet下载- 型号： MRF7S21110HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21110HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21110HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21110HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21110HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21110HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21110HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 2.1–2.2 GHz 频段（如 PCS/IMT-2000、WCDMA、LTE FDD Band 1）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和中继站的末级功放模块，支持高线性度、高效率（典型漏极效率达60%以上）和高输出功率（连续波下110 W，脉冲/OFDM信号下仍具优异ACPR性能），满足4G LTE及向5G演进中的多载波、宽带宽需求。 - 无线通信基础设施：适用于分布式基站（BBU+RRU架构）、小型基站（Small Cell）的射频单元，尤其适配2.14 GHz主流商用频段，支持高动态范围与低失真传输。 - 测试与仪表设备：在射频信号源、功率放大模块、EMC抗扰度测试系统中作为宽带高功率驱动级。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理能力与可靠性，支持高VSWR耐受（10:1），适用于严苛工业环境。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，常与NXP配套驱动器（如MW6S010N）及数字预失真（DPD）方案协同优化线性度。 注：已停产（NRND），当前多用于存量基站维护或替代设计评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 33W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21110HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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