Datasheet下载- 型号： MRF7S18125BHSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18125BHSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18125BHSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18125BHSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S18125BHSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18125BHSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S18125BHSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.8–2.2 GHz 频段（典型工作频段：1.805–1.880 GHz 或 2.11–2.17 GHz）设计，额定输出功率达 125 W（连续波，CW），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。其主要应用场景包括： - 4G LTE 基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（DAS）的末级功放（PA），支持多载波、高PAR信号（如20 MHz LTE 4×4 MIMO），具备优异的ACPR和EVM性能； - 小基站（Small Cell）与中继站：在紧凑型室外基站中提供高增益与热稳定性（采用陶瓷封装，耐高温、低热阻）； - 无线基础设施设备：如直放站、微波回传前端、公共安全通信系统（如TETRA、P25扩展频段）及ISM频段工业设备； - 广播与通用射频激励应用：在VHF/UHF宽带发射系统中作为线性驱动级或末级放大器件。 该器件支持高电压供电（28 V 或 32 V），具备内置ESD保护、良好的热稳定性和长期可靠性，符合RoHS标准。其SMD封装（NI-780H-4L）便于自动化贴装与高效散热设计，适用于严苛的通信环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S18125BHSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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