Datasheet下载- 型号： MRF7S18125BHR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18125BHR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18125BHR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18125BHR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S18125BHR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18125BHR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S18125BHR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计（典型用于 PCS/DCS/IMT-2000/4G LTE 基站）。其主要应用场景包括： 宏基站功率放大器（PA）：适用于蜂窝通信基础设施，在 1.8–2.0 GHz 频段提供高达 125 W 的平均输出功率（采用 Doherty 架构），支持高效率（典型 PAE > 45%）与优异线性度，满足 LTE-Advanced 和 5G NR Sub-6 GHz 前向兼容需求； 无线接入设备：用于分布式基站（BBU+RRU）、小型基站（Micro/Pico Cell）及有源天线单元（AAU）中的末级射频功放模块； 工业与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA/LMR）、宽带无线接入（WiMAX 替代应用）及测试仪表中的高可靠性射频信号源。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与高可靠性（符合 Telcordia GR-468 标准），支持连续波（CW）与复杂调制信号（如 OFDM、256-QAM）工作，广泛应用于电信设备制造商（如爱立信、诺基亚供应链）的多载波、多标准基站平台中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S18125BHR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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